Kompositschichten
Kompositschichten
Nanostrukturierte Diamantschichten und Diamant/Karbid
Einsatz einer Diamant/SiC Mischphasenschicht
als Haftvermittler
Um das große industrielle
Anwendungspotential der CVD-Diamantschichten für Werkzeuge und Bauteile
umsetzen zu können, werden Diamant/Karbid-
Kompositgradientenschicht-strukturen
dringend benötigt, da das Problem ungenügender Haftung der Diamantschichten,
insbesondere auf metallischen Substraten einer erfolgreichen Anwendung in
vielen Fällen noch im Wege steht.
Die größte Hürde ist in der Differenz der thermischen Ausdehnungskoeffizienten
von Diamant und Substrat zu sehen, wodurch bei einer Abkühlung von
der Abscheidungstemperatur auf Raumtemperatur sehr hohe thermische Druckspannungen
in den Diamantschichten entstehen. Diese Druckspannungen können je
nach Substratmaterial und Substrat-temperatur bis zu 10 GPa betragen. Eine
Ablösung der Diamantschichten ist auf diese hohen thermischen Spannungen
zurückzuführen und erfolgt in den meisten Fällen an der Schneidkante.
Auf Grund ihrer innigen mechanischen Verankerung zwischen der Diamant- und
der Kompositphase sowie der guten Haftung der Karbidphase auf dem metallischen
Substrat sind Kompositschichten mit einem definierten Gradienten in der
Zusammensetzung äußerst vielversprechender Haftvermittler.
Wir haben mittels CVD-Verfahren Diamant/Karbid-Mischphasen-Komposit-Schichten
entwickelt, welche eine gute Haftung auf dem metallischen Substrat ermöglichen.
Solche Mischphasen wurden bislang nur bei ß-SiC und TiC erzielt. Weitere
Nano-Kompositschichten wie z. B. Diamant/WC- oder Diamant/CrC-Schichten
mit Zusammensetzungsgradienten sollen entwickelt werden.
Ansprechpartner: Xin Jiang
Weitere Bilder zu diesem Thema:
REM Aufnahme der Oberflächenmorphologie einer homogenen, nanokristalliten Diamant/β-SiC Komposit Schicht, abgeschieden auf einem Molybdän Substrat, bei einem konstanten Tetramethylsilan (TMS) Gehalt von 0,05% in der Gasphase.
(A) REM Querschnittsaufnahme einer nanokristalliten Diamant/β-SiC Gradient-Komposit-Schicht und (B) das entsprechende Rückstreuelektronen Bild. Die hellen, gepunkteten Regionen representieren die β–SiC Phase.